512 MBit Flash-Speicher von Renesas mit Memory-Management-Funktion

Der europäische Niederlassung japanischen Chiphersteller Renesas
Technology Europe kündigt heute einen 512 MBit-Flash-Speicher an. Der
Baustein erreicht eine Schreibgeschwindigkeit von etwa vier MByte/s und
bietet integrierte Memory-Management-Funktionen. Die Chips richten sich
als interne Datenspeicher an Consumer Electronics-Produkte wie
Smartphones, PDAs und Digitalkameras, so das Unternehmen heute in
Feldkirchen bei München.

Die neue Speicherserie basiert auf einem
13-Nanometer-Prozess und der AG-AND Flash-Memory-Zellen-Technologie von
Renesas. Angeboten werden zwei Modelle mit 3,3 Volt Versorgungsspannung:
Der Typ HN29V512A0A mit x16-Konfiguration für Busbreiten von 16 Bit, und
der Typ HN29V512A1A mit x8-Konfiguration für 8-Bit-Busse. In der
Entwicklung befindet sich ferner eine 1,8-V-Version, um Versionen mit
niedrigerer Betriebsspannung bieten zu können. Die Bausteine sind mit
einem 10 x 11,5 x 1,2 mm messenden CSP-Gehäuse lieferbar.

Mit
Hilfe des Bad-Sector Managements kann der Flash-Speicher feststellen, ob
beim Wiederbeschreiben eines bestimmten Sektors eine Abnormalität
auftritt, um gegebenenfalls auf einen Ersatz-Sektor umzuschalten. Die
Wear-Levelling-Funktion verspricht eine verbesserte Nutzung der
Rewrite-Bereiche des Flash-Speichers und soll die Lebensdauer erhöhen.
Wenn sich Schreibzugriffe stark auf einen bestimmten Bereich
konzentrieren, wächst das Risiko, dass der Speicher Schaden nimmt. Die
Wear-Levelling-Funktion soll dafür sorgen, dass bei Erreichen einer
bestimmten Zahl von Schreibzugriffen die Daten mitsamt den Adressen in
einen Bereich verlagert werden, in dem bisher nur wenige
Rewrite-Operationen ausgeführt wurden.

Die Bemusterung der
3,3-V-Versionen HN29V512A0A und HN29V512A1A beginnt in Europa im Mai
2004, während Muster der 1,8-V-Ausführung voraussichtlich ab dem dritten
Quartal 2004 verfügbar sein werden. (mk)
(
de.internet.com – testticker.de)

Weitere Infos:

Renesas Europe