IBM bändigt Prozessorenlecks mit Metall
Ab 2008 will IBM Chips in 45-Nanometer-Technik produzieren und setzt dabei auf so genannte “High-k-Transistoren“. In diesem neuen Transistor-Design soll ein neues “Di-Elektrikum” Leckströme bändigen.
IBM folgt Intel: Während Intel bereits 2007 in 45nm-Technik produzieren will, um so Chips leistungsfähiger und stromsparender zu machen, legt IBM 2008 noch eine neue Technik drauf. Diese soll mit einem hochisolierenden Material und einem Gate aus Metall den Stromhunger der Chips minimieren.
Im IBM-Werk in East Fishkill (US-Bundesstaat New York) soll die Massenproduktion von Halbleitern 2008 starten – entwickelt hat man die Technik in Zusammenarbeit mit AMD, Toshiba und Sony.
Auf der Konferenz ISSCC ausgerechnet am Valentinstag (14.2.) sollen weitere technische Details vorgestellt werden. (mk)