Samsung: Flashchips mit 128 GByte Speicher

Ein neuartiges Herstellungsverfahren macht es möglich: 64 Gigabit NAND mit 128 GByte Speicher. Der auf 30-Nanometer-Bauweise aufsetzende Flashspeicher soll neue Maßstäbe setzen. Bisher existieren keine konkreten Referenzmodelle, die auf der neuen Technologie basieren, jedoch ist Samsung optimistisch, schon bald 128 GByte Flashchips auf den Markt zu bringen. Die Produktion soll bereits 2009 in die Wege geleitet werden, schreibt die Associated Press.

“Der Flashspeicher steht für einen großen Schritt vorwärts in dem Bestreben speicherstärkere Lösungen, zu einer Zeit mit explosionsartigem Bedarf an Flash-Speicher als Hauptmedium bei der Speicherung von digitalen Anwendungen, anzubieten”, begründet ein Samsung-Sprecher. (mr)