IBM führt 100-GHz-Prozessor vor

Gemessen an heutigen 32nm-Prozessoren ist das Exemplar der IBM-Forscher noch riesig, denn es handelt sich lediglich um 240nm-Strukturen. Der wesentliche Unterschied liegt im eingesetzten Material: Statt Silizium werden für die Hightech-Halbleiter Karbon-Atome genutzt, die in einer atomdünnen Schicht wachsen.

Mehr über die zugrundeliegende Physik verrät ein Grundlagenartikel im Science-Magazin (PDF-Dokument). Der Geschwindigkeitsvorteil liegt offenbar darin, dass Elektronen unheimlich schnell durch dieses Material flitzen. Das wusste man schon früher, doch erstmals gelang es den Wissenschaftlern, diesen Effekt auch im Rahmen eines Schaltungsrasters zu nutzen.

IBMs Vizepräsident für Technologien, Dr. T.C. Chen, gab zu Protokoll, dass die Technologie in ihrer jetzigen Frühform bereits 250 Prozent über dem Leistungsniveau der besten FET-Halbleiter liege. Bei Silizium-Metalloxyd-Chips erreiche die theoretische Taktungsobergrenze 40 GHz. Die Karbontechnologie habe da eindeutig mehr Potential für Leistungssteigerungen. Zumal der 100-GHz-Demo-Lauf bei Zimmertemperatur stattfand. (Ralf Müller)