Speicher-Revolution: DRAM und Flash in einem

An der North Carolina State University habe man ein neues Gerät entwickelt, das Speicherung im Computer massiv verändern könne, erklären die Forscher um Professor Paul Franzon.

Das neue »Gerät«, das sie entwickelt hatten, fungiere sowohl als flüchtiger Speicher wie in DRAMs im PC als auch als nichtflüchtiger Speicher wie in Flash-Chips. Dies packe man in eine einzige Einheit, die sowohl schnell wie im dynamischen RAM agieren könne als auch etwas langsamer, dafür aber dauerhafter, wie in USB-Sticks.

Der »double floating-gate field effect transistor« (FET) mache dies möglich, denn die nichtflüchtigen Speicher würden bisher nur ein einzelnes »floating gate« verwenden, das die elektrische Aufladung als 1 oder 0 speichere. Durch die Nutzung von zwei »floating gates« könne das Gerät sowohl im nichtflüchtigen Modus speichern als auch im schnelleren dynamischen Bereich. Das doppelte FET könnte also Computer sofort starten statt erst Daten von einer Festplatte zu holen, denn der dynamische Speicher stünde ja sofort zur Verfügung.

Als Nutzungsbeispiel für die Zukunft nennt Franzon große Rechenzentren, die derzeit noch viel Strom schluckten – auch wenn sie gerade nicht benutzt würden. Den Strom könne man eben nicht einfach abschalten, ohne den laufenden flüchtigen Speicher zu löschen. Mit dem neuen Speicher sei es jedoch möglich, den »Saft« bei Nichtnutzung einfach abzudrehen, weil Informationen hier gleichzeitig in flüchtiger und nichtflüchtiger Form vorlägen. Die Prototypen seien bereits zuverlässig und das fertige Produkt könne eine »sehr lange Lebensdauer« des nichtflüchtigen Bestandteiles haben.