Samsung bohrt Smartphone-Speicher auf

Samsung kündigte gestern an, einen neuen Typus von stromsparenden DDR2-Speicher entwickelt zu haben: Der LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) weist eine besonders weite Bandbreite für den Datentransfer vor. Der Trick ist eine enorme Erhöhung der Pin-Zahl auf dem Chip: 512 statt nur 32 Kontaktstellen, das sind 16mal mehr. Damit schleuse der Speicher statt nur 1,6 Gbps nun 12,8 Gbps an Daten durch, was viermal über dem Niveau eines klassischen LPDDR2-Bausteins liege.

Trotz der Leistungssteigerung sei es den Samsung-Ingenieuren gelungen, den Energieverbrauch um enorme 87 Prozent zu senken. Erste Exemplare des 50-nm-Chips werden in der Ausbaustufe 128 MByte ausgeliefert. Die Technik soll künftig auf moderne Fertigungsmethoden übertragen werden. So sei für 2013 eine 20-nm-Version mit 512 MByte geplant.