Hynix führt superschnellen DDR4-Speicher ein

Der koreanische Speicherhersteller hat sein »DDR4 DRAM« fertiggestellt. An dem »Next Generation Memory Product«, so Hynix in seiner Pressemitteilung, arbeitet das Unternehmen schon seit geraumer Zeit und zeigte erste Prototypen im Januar. Nun seien die neuen 2-Gigabyte-Chips fertig, die weniger Energie verbrauchten und Daten fast doppelt so schnell transferieren könnten wie die existierenden DDR3-DRAM-Chips.

Mit 2400Mbps (Megabits pro Sekunde) sei man 80 Prozent schneller als die DDR3- üblichen 1333Mbps. Das neue Speichermodul arbeite auf niedrigen 1,2 Volt und bearbeite bis zu 19,2 GByte Daten pro Sekunde bei einer 64-Bit-Ein-/Ausgabe. Die Daten in den Speichermodulen würden dabei natürlich automatisch fehlergeprüft und korrigiert.

Hergestellt werden sie im 30-Nanometer-Prozess, laut Hersteller entsprechen sie dem JEDEC-Standard und werden im zweiten Halbjahr 2012 ausgeliefert.

Marketingchef Ji-Bum Kim will den energiesparenden schnellen Speicher für PCs, Server und Tablets anbieten. Im Jahre 2012 habe DDR3 ohnehin seinen Höhepunkt erreicht, zitiert er iSuppli, da käme man also genau richtig.