Samsung überrascht mit Speicher-Prototyp
Samsung kündigte gerade offiziell seine Speichertechnologie »Resistive Random Access Memory« (RRAM) an. Den Entwicklungsingenieuren des Konzerns sei es gelungen, die Zuverlässigkeit des Halbleiters signifikant zu steigern. So könne der RRAM-Prototyp eine Billion Mal problemlos zwischen Schreiben und Löschen von Daten hin und her schalten. Das sei etwa eine Million mal besser als es ein heutiger Flash-Speicher hinbekomme, rechnet Samsung vor.
Der Chip basiert nicht mehr auf den klassische Silizium-Strukturen, sondern nutze als Basis das Metall Tantalum (Ta). Das erlaube gleichzeitig hohe Dichte, lange Haltbarkeit, schnelle Schaltprozesse und obendrein noch einen geringen Stromverbrauch. Wann Samsung gedenkt, die RRAM-Module serienfertig haben zu wollen oder die Massenproduktion starten zu können, darüber hielt sich der Konzern bedeckt. Höchstwahrscheinlich wird es wohl schneller gehen als bei IBM, die neulich ihren PCM-Speicher ankündigten.
