IBM & Micron arbeiten an revolutionärem Speicherchip

Nicht nur beim Entwurf der Halbleiter, sondern auch bei der späteren Serienproduktion wollen IBM und Micron kooperieren. Das macht auch deshalb Sinn, weil der Vorteil der Chips sich auch aus dem ungewöhnlichen Produktionsverfahren ergibt: 3D-Memory soll der erste Speicherbaustein sein, der im TSV-CMOS-Verfahren hergestellt werde. Dabei kommen vertikale Leiter zum Einsatz, die einen Stapel individueller Chips miteinander elektrisch verbinden. Der daraus resultierende dreidimensionale »Hybrid Memory Cube« (HMC) arbeite 15-fach schneller als die bisherigen konventionellen Speicherchips. Gefertigt würden sie in einem 32-Nanometer-Prozess.

Die ersten Prototypen haben die Daten mit bis zu 128 GB/s in den Speicher übertragen können. Normaler RAM komme nur auf etwa ein Zehntel dieses Wertes. Ähnlich verhalte es sich beim Platzverbrauch. Auch benötigte der Prototyp etwa 70 Prozent weniger Energie als herkömmlicher DRAM.

Die Ingenieure und Wissenschaftler des Gemeinschaftsprojekts glauben, dass sie die Technologie in nicht allzu ferner Zukunft marktreif bekommen. IBM will die Herstellungsverfahren noch diese Woche auf einer IEEE-Veranstaltung in Washington vorstellen.