Auch Intel steigt jetzt in den Markt für 3D-Nand-Flash-Technologie ein
Intel und Micron haben neue Flash-Speicherchips angekündigt, die bis zur dreifachen Kapazität der aktuell eingesetzten Chips liefern sollen. Sie beruhen auf einer 3D Stacking genannten Technik, die von Samsung bereits seit August 2013 zur Fertigung verwendet wird. Intel zufolge kann damit ein etwa 3,5 TByte großer SSD-Flash-Speicher in der Größe eines Kaugummistreifens hergestellt werden.
Darüber hinaus hat auch Toshiba einen 3D-Nand-Chip angekündigt, der ähnliche Kapazitäten liefern soll, wie die aktuell von Samsung offerierten Produkte. Damit wird dem koreanischen Konzern ein Alleinstellungsmerkmal genommen, was infolgedessen zu einem neuen Preiskampf führen könnte.
“3D ist eine der Möglichkeiten, um das Mooresche Gesetz in Gang zu halten”, sagte Michael Jackson, Professor für Microelectronic Engineering am Rochester Institute of Technology. Damit stützt er sich auf Feststellungen des Intel-Mitgründers Gordon Moore zur Weiterentwicklung von Prozessortechnologien. Diese besagen, dass sich die Komplexität integrierter Schaltkreise innerhalb einer bestimmten Zeit regelmäßig verdoppelt – je nach Quelle ist hier von 12 bis 24 Monaten die Rede.
Die Kapazitätssteigerung wird bei 3D-Nand dadurch erzielt, dass sich mehr Bits in einer Speicherzelle ablegen lassen. Intel und Micron wollen zu Beginn 256-GBit-Chips mit 2 Bits pro Zelle offerieren. Später sollen dann 384-GBit-Chips folgen, bei welchen eine Zelle 3 Bits aufnehmen kann. Toshiba speichert in seinen 128-GBit-Chips hingegen 2 Bits pro Zelle.
Zuvor wurde die Kapazität von Flash-Speicherchips dadurch erhöht, dass schlicht immer mehr Speicherzellen auf einer zweidimensionalen Chip-Oberfläche untergebracht wurden. Intel und Micron folgen nun Samsungs Ansatz mit 32 Lagen Flash-Speicher. Mit 48 Lagen geht Toshiba sogar noch einen Schritt weiter. Ab sofort liefern alle drei Firmen erste Muster mit ihren neuen 3D-Nand-Speicherchips aus. Intel und Micron wollen das fertige Produkt noch in diesem Jahr auf den Markt bringen. Es kann in Smartphones ebenso eingesetzt werden, wie in Solid State Drives (SSDs).
Intel und Micron arbeiten also nun zusammen, um gemeinsam gegen den Marktführer Samsung anzutreten. Intel hatte laut Statista im vergangenen Jahr einen Marktanteil von 8 Prozent, Micron kam auf 14 Prozent. Toshibas Anteil lag bei 22 Prozent. Samsung sicherte sich 2014 mit 28 Prozent den größten Anteil des Marktes.
IBM entwickelt indes eine Flash-Alternative namens Phase Change Memory. HGST präsentierte im vergangenen Jahr schon eine erste SSD mit Phasenwechselspeicher, die Datenanfragen um ein Vielfaches schneller verarbeiten können soll, als konventionelle SSDs. Das Start-up Crossbar wiederum verwendet <a href="http://www.itespresso.de/2013/08/06/neue-speichertechnik-reram-kommt-2014-auf-den-markt/" target="_blank"Resistive RAM. Die Technik soll bis zu einem Terabyte Speicherplatz auf einem einzigen Chip ermöglichen.
[mit Material von Stefan Beiersmann, ZDNet.de]