GigaDevice, ein führendes Halbleiterunternehmen, das sich auf Flash-Speicher, 32-Bit-Mikrocontroller (MCUs), Sensoren, analoge Produkte und Lösungen spezialisiert hat, kündigt die Markteinführung seines superschnellen GD5F1GM9 QSPI NAND Flash an, der sich durch bahnbrechende Lesegeschwindigkeiten und innovative Bad Block Management (BBM)-Funktionalität auszeichnet.
Die GD5F1GM9-Serie kombiniert die hohe Leseleistung von NOR-Flash mit der großen Kapazität und Kosteneffizienz von NAND-Flash. Diese Innovationen lösen die wichtigsten Herausforderungen der Branche, nämlich die langsamen Reaktionszeiten und die Anfälligkeit für Bad-Block-Interferenzen, die mit herkömmlichem SPI-NAND-Flash verbunden sind. Die Markteinführung des GD51GM9 wird neue Wachstumschancen für SPI-NAND-Flash eröffnen und es zur idealen Wahl für Fast-Boot-Anwendungen in Sektoren wie Sicherheit, Industrie und IoT machen.
Die GD5F1GM9-Serie des schnellen QSPI NAND Flash basiert auf einem 24-nm-Prozessknoten. Die Serie unterstützt sowohl 3-V- als auch 1,8-V-Betriebsspannungen sowie Hochgeschwindigkeits-Lesemodi wie Continuous Read, Cache Read und Auto Load Next Page. Die Modi Continuous Read und Auto Load Next Page sind neuere Lesefunktionen, die dieser Serie hinzugefügt wurden und den Benutzern vielseitige Leseoptionen bieten, um das Abrufen von Code und Daten weiter zu beschleunigen. Diese Lesemodi nutzen den neuen parallelen Berechnungsansatz für das ECC-Design (Error Correction Code) und ersetzen die bisherige serielle Berechnungsmethode. Diese Innovation reduziert die Berechnungszeit für den integrierten ECC erheblich.
Die 3-V-Version der Serie erreicht im Continuous-Read-Modus eine kontinuierliche Leserate von bis zu 83 MB/s und arbeitet mit einer maximalen Taktfrequenz von 166 MHz. Die 1,8-V-Version hat eine kontinuierliche Leserate von bis zu 66 MB/s und unterstützt eine maximale Taktfrequenz von 133 MHz. Die Lesegeschwindigkeiten des GD5F1GM9 sind bis zu dreimal schneller als bei herkömmlichen SPI NAND-Produkten bei gleicher Frequenz. Diese Designvorteile verbessern den Datenzugriffsdurchsatz, verkürzen die Systemstartzeit und senken den Gesamtenergieverbrauch des Systems.
Da schlechte Blöcke ab Werk ein inhärentes Problem bei NAND Flash sind, verfügt der GD5F1GM9 über ein integriertes Advanced Bad Block Management (BBM), um die umfassende Funktionalität des Continuous-Read-Modus zu gewährleisten. Continuous Read ermöglicht den Lesezugriff auf das gesamte Speicher-Array mit einem einzigen Lesebefehl, um das ausgeführte BBM zu unterstützen, das schlechte Blockadressen mit guten Blockadressen verknüpft. Der Lesezugriff überspringt dann automatisch den schlechten Block aufgrund des etablierten Verknüpfungszugriffs auf die neu zugeordnete und verknüpfte gute physische Blockadresse.
Ab Werk garantiert die GD5F1GM9-Serie, dass die ersten 256 Blöcke gute Blöcke sind. Zwar gibt es ab Werk schlechte Blöcke und möglicherweise entstehen während der Nutzung neue schlechte Blöcke, die verwaltet werden müssen, doch kann die BBM-Funktion eine logische Blockadresse für die physische Blockadressenverknüpfung erstellen, sodass Benutzer schlechte Blöcke austauschen und ersetzen können und der zugehörige Zugriff auf einen guten Block erfolgt, sobald die BBM-Verknüpfung eingerichtet ist.
Das Gerät kann bis zu 20 Look-Up-Table-BBM-Links unterstützen, um die Funktionalität des Continuous-Read-Modus weiter zu verbessern. Dies verbessert nicht nur die Ressourcennutzung erheblich, sondern vereinfacht auch das Systemdesign.
„Die allgemein langsame Lesegeschwindigkeit von SPI NAND Flash ist derzeit ein großes Hindernis bei der Verbesserung der Boot-Leistung wichtiger Anwendungen“, so Ruwei Su, Vizepräsident von GigaDevice und Geschäftsführer der Flash BU. „Die Einführung der GD5F1GM9-Serie mit den Hochgeschwindigkeitsspeichern QSPI NAND Flash setzt neue Leistungsmaßstäbe auf dem Markt. Diese Serie behebt effektiv die Lesegeschwindigkeitsbeschränkungen herkömmlicher SPI-NAND-Flash-Speicher und bietet eine neue Lösung für das Bad-Block-Management, was sie zu einer idealen Alternative für NOR-Flash-Benutzer mit wachsenden Kapazitätsanforderungen macht. GigaDevice wird auch in Zukunft seine zugrunde liegenden Technologien weiterentwickeln, um Kunden effizientere und zuverlässigere Speicherlösungen zu bieten.“
Die GD5F1GM9-Serie bietet eine Kapazität von 1 GB mit 3 V/1,8 V Spannungsoptionen und unterstützt die Gehäuseoptionen WSON8 8×6 mm, WSON8 6×5 mm und BGA24 (5×5 Ball Array) 5×5 Ball. Für detaillierte Informationen und Produktpreise wenden Sie sich bitte an Ihren örtlichen Vertriebsmitarbeiter.
Über GigaDevice
GigaDevice Semiconductor Inc. (SSE Stock Code 603986) ist ein weltweit führender Fabless-Anbieter. Das Unternehmen wurde im April 2005 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Beijing, China. Es unterhält Zweigstellen in vielen Ländern und Regionen weltweit, um den Kunden vor Ort Unterstützung zu bieten. GigaDevice hat sich dem Aufbau eines vollständigen Ökosystems mit vier Hauptproduktlinien – Flash-Speicher, MCU, Sensor und Analog – als treibende Kraft verschrieben und kann eine breite Palette von Lösungen und Dienstleistungen in den Bereichen Industrie, Automobil, Computer, Unterhaltungselektronik, IoT, Mobilfunk, Netzwerke und Kommunikation anbieten. GigaDevice hat die ISO26262:2018-Zertifizierung für funktionale Sicherheit in der Automobilindustrie ASIL D, die IEC 61508-Zertifizierung für funktionale Sicherheit von Produkten sowie die Duns-Zertifizierungen nach ISO9001, ISO14001 und ISO45001 erhalten. In dem ständigen Bestreben, das Technologieangebot für Kunden zu erweitern, hat GigaDevice auch strategische Allianzen mit führenden Gießereien, Montage- und Testanlagen geschlossen, um das Lieferkettenmanagement zu optimieren. Weitere Informationen finden Sie unter: www.gigadevice.com
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